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Der Beste
EMSA N40109 - EMSA Isolierkanne SAMBA WAVE grau 1,0 l
19.9 EUR
emsa Isolierkanne SAMBA Wave – einfach per Knopfdruck ausgießenDie emsa Isolierkanne SAMBA Wave ist nicht nur praktisch, sondern setzt auch schöne Akzente auf jedem Tisch. In grau, matt und mit sanftem Wellendekor macht sie auf jedem Tisch eine gute Figur. Ihr hochwertiger Glas-Isolierkolben überzeugt mit einer hervorragenden Isolierleistung, die Ihre Getränke bis zu 12 Stunden heiß oder 24 Stunden kalt hält. Dieser hygienische Hartglaseinsatz sorgt außerdem für reinen Geschmack und langanhaltende Frische.Darauf ist VerlassDie emsa Isolierkanne SAMBA Wave passt perfekt in jedes Ambiente und bietet neben guter Isolierung, folgende Produktmerkmale:100 % dicht und auslaufsicher1,0-Liter-FassungsvermögenMit hochwertigem Glas-IsolierkolbenKomfortable Einhandbedienung mit Quick-Press VerschlussIsolierleistung bis zuRutschfester BodenQualität Made in GermanyGenießen Sie kompromisslose Qualität und stilvolles Design!
Die Top
EMSA N20805 - emsa Isolierbecher TEA MUG blau 0,4 l
28.05 EUR
Für echte Teeliebhaber: der emsa Isolierbecher TEA MUG blau, 0,4 lDer emsa Isolierbecher TEA MUG – blau, 0,4 l ist ein Must-have für alle Teeliebhaber. Dank des integrierten Teesiebs gibt es kleine lästigen Wartezeiten mehr zu Hause: einfach das Wasser aufgießen und den Tee unterwegs brühen lassen! Durch das großzügige Fassungsvermögen von 0,4 l und der doppelwandigen Isolierung, die Ihr Getränk lange warm hält, ist dieser Isolierbecher perfekt beim Pendeln, auf Reisen oder einfach zum Schlendern in der Stadt.Praktischer Drehverschluss und modernes DesignDer emsa TEA MUG besteht aus hochwertigem Glas und Edelstahl, die für ihre Langlebigkeit und Widerstandsfähigkeit bekannt sind. Der Isolierbecher ist mit einem praktischen Drehverschluss ausgestattet, der dafür sorgt, dass Ihr Getränk sicher verschlossen bleibt und nichts ausläuft. Der stylische Wellen-Silikon-Sleeve lässt den Thermobecher sicher und angenehm in der Hand liegen.Der perfekte Begleiter für unterwegsEgal, ob Kaffee oder Tee – der Isolierbecher ist der perfekte Begleiter für den Alltag.
Ausgezeichnet
QORVO UF3C120150K4S - SiC-Kaskode-FET, 1200V 18,4A Rdson 0,15R TO-247-4L
15.2 EUR
1200V SiC-MOSFET-Kaskode 150mR TO-247-4LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre schnellen F3-SiC-Hochleistungs-JFETs mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist sehr schnelle Schaltvorgänge unter Verwendung eines TO-247-Gehäuses mit 4 Anschlüssen und die besten Reverse-Recovery-Eigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Speicher erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 150mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- TO-247-4L-Gehäuse für schnelleres Schalten, saubere Gate-SignalformenTypische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
Empfohlen
QORVO UF3C120040K4S - SiC-Kaskode-FET, 1200V 65A Rdson 0,035R TO-247-4L
38.9 EUR
1200V SiC-MOSFET-Kaskode 35mR TO-247-4LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre schnellen F3-SiC-Hochleistungs-JFETs mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist sehr schnelle Schaltvorgänge unter Verwendung eines TO-247-Gehäuses mit 4 Anschlüssen und die besten Reverse-Recovery-Eigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Speicher erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 35mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- TO-247-4L-Gehäuse für schnelleres Schalten, saubere Gate-SignalformenTypische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
Im Fokus
QORVO UF3C065040K4S - SiC-Kaskode-FET, 650V 54A Rdson 0,042R TO-247-4L
27.85 EUR
650V SiC-MOSFET-Kaskode 42mR TO-247-4LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre schnellen F3-SiC-Hochleistungs-JFETs mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist sehr schnelle Schaltvorgänge unter Verwendung eines TO-247-Gehäuses mit 4 Anschlüssen und die besten Reverse-Recovery-Eigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Speicher erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 42mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- TO-247-4L-Gehäuse für schnelleres Schalten, saubere Gate-SignalformenTypische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
Alternative
EMSA N2080400 - emsa Isolierbecher TEA MUG rot 0,4 l
28.05 EUR
Für echte Teeliebhaber: der emsa Isolierbecher TEA MUG rot, 0,4 lDer emsa Isolierbecher TEA MUG – rot, 0,4 l ist ein Must-have für alle Teeliebhaber. Dank des integrierten Teesiebs gibt es kleine lästigen Wartezeiten mehr zu Hause: einfach das Wasser aufgießen und den Tee unterwegs brühen lassen! Durch das großzügige Fassungsvermögen von 0,4 l und der doppelwandigen Isolierung, die Ihr Getränk lange warm hält, ist dieser Isolierbecher perfekt beim Pendeln, auf Reisen oder einfach zum Schlendern in der Stadt.Praktischer Drehverschluss und modernes DesignDer emsa TEA MUG besteht aus hochwertigem Glas und Edelstahl, die für ihre Langlebigkeit und Widerstandsfähigkeit bekannt sind. Der Isolierbecher ist mit einem praktischen Drehverschluss ausgestattet, der dafür sorgt, dass Ihr Getränk sicher verschlossen bleibt und nichts ausläuft. Der stylische Wellen-Silikon-Sleeve lässt den Thermobecher sicher und angenehm in der Hand liegen.Der perfekte Begleiter für unterwegsEgal, ob Kaffee oder Tee – der Isolierbecher ist der perfekte Begleiter für den Alltag.
QORVO UJ3C065080B3S - SiC-Kaskode-FET, 650V 25A Rdson 0,08R , D2PAK-3L
17.7 EUR
650V SiC-MOSFET-Kaskode 80mΩ D2PAK-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 80mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
ONSEMI UF3C065040B3 - SiC-Kaskode-FET, 650V 54A Rdson 0,042R , D2PAK-3L
17.55 EUR
650V SiC-MOSFET-Casecode 42mΩ D2PAK-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 42mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
QORVO UF3C065030B3 - SiC-Kaskode-FET, 650V 65A Rdson 0,027R D2PAK-3L
20.35 EUR
650V SiC-MOSFET-Casecode 27mR D2PAK-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 27mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
QORVO UJ3C120080K3S - SiC-Kaskode-FET, 1200V 33A Rdson 0,08R , TO-247-3L
26.45 EUR
1200V SiC-MOSFET-Kaskode 80mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 80mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
QORVO UF3C065030K3S - SiC-Kaskode-FET, 650V 85A Rdson 0,027R TO-247-3L
42.25 EUR
650V SiC-MOSFET-Casecode 27mR TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 27mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
QORVO UF3C065040K3S - SiC-Kaskode-FET, 650V 54A Rdson 0,042R TO-247-3L
25.75 EUR
650V SiC-MOSFET-Casecode 42mR TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 42mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
QORVO UJ3C065030K3S - SiC-Kaskode-FET, 650V 85A Rdson 0,027R , TO-247-3L
37.8 EUR
650V SiC-MOSFET-Kaskode 27mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 27mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
QORVO UJ3C120040K3S - SiC-Kaskode-FET, 1200V 65A Rdson 0,035R, TO-247-3L
36.8 EUR
1200V SiC-MOSFET-Kaskode 35mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 35mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung